全球首秀！英特尔亮出ZAM内存原型：单芯 512GB、功耗砍半，正面硬刚HBM

　　英特尔与软银合作开发的下一代AI内存技术Z-Angle Memory(ZAM)完成全球首次公开亮相，这项旨在挑战高带宽内存(HBM)市场主导地位的新技术展示了显著的性能优势。该产品采用垂直堆叠架构，有望在降低功耗的同时大幅提升容量。

　　周三，根据Wccftech的报道，早期数据显示ZAM可将功耗降低40%至50%，单芯片容量最高可达512GB，并通过Z-Angle互连技术简化生产流程。这些特性使其成为应对当前AI应用能耗瓶颈和供应链紧张的潜在解决方案。

　　软银子公司SAIMEMORY于2月3日在Intel Connection Japan 2026活动上首次展示了ZAM原型产品。英特尔在博客文章中透露，原型产品计划于2027年推出，全面商业化预计在2030年实现。

　　英特尔政府技术部门首席技术官、英特尔院士Joshua Fryman博士出席了此次活动。SAIMEMORY由软银、英特尔和东京大学于2024年12月共同创立，并于2025年6月正式启动运营，现任总裁兼首席执行官为Hideya Yamaguchi。

　　垂直堆叠突破散热瓶颈

　　据PC Watch报道，传统内存采用平面堆叠结构，但这一设计正因功耗和散热限制接近极限。当前设计已将16层堆叠推至接近最大值，20层被视为上限。

　　ZAM以Z轴命名，采用垂直堆叠芯片的设计。PC Watch指出，与传统DRAM相比，这种设计承诺实现更低功耗、更高容量和更宽带宽。通过垂直堆叠，每个芯片产生的热量可均匀向上传导，解决了长期困扰平面堆叠的散热难题。

　　Wccftech援引英特尔的说法称，这一架构的主要优势在于其卓越的热管理能力。

　　技术路径瞄准HBM与DDR之间空白

　　这款新内存产品预计将采用英特尔的下一代DRAM键合(NGDB)技术。桑迪亚国家实验室1月发布的信息显示，当前高带宽内存往往以牺牲容量等性能来换取更高带宽。

　　NGDB技术旨在消除这种权衡，在HBM和传统DDR DRAM之间架起桥梁，同时提供显著更高的能效。

　　根据软银发布的新闻稿，ZAM项目的原型产品预计在截至2028年3月31日的财年内完成，商业化目标锁定2029财年。英特尔院士Joshua Fryman博士在声明中表示，标准内存架构无法满足AI需求，英特尔开发的新架构和组装方法在提升DRAM性能的同时降低了功耗和成本。

　　PC Watch报道称，SAIMEMORY强调其强大的合作伙伴关系，包括与软银和英特尔的合作，以及由国内外投资者和供应链合作伙伴组成的网络。这表明英特尔可能并非SAIMEMORY唯一的全球合作伙伴。

　　软银与英特尔的这一合作旨在在HBM主导的市场格局中开辟新路径，直指当前AI面临的能耗瓶颈和供应链紧张难题。