三星计划在NAND闪存中首次引入3D晶体管技术，推动存储芯片进入新架构时代
在逻辑芯片领域广泛应用3DFinFET技术多年后，三星电子日前正式宣布，计划将这一先进晶体管结构首次导入NAND闪存芯片，标志着存储芯片技术迈向三维架构的重要转折。
三星DS设备部门技术长SongJae-hyuk在SEDEX2025会议上发表主题演讲时指出，为满足客户对性能与能效的持续提升需求，必须在单位面积内容纳更多晶体管，而3DFinFET技术正是实现这一目标的核心路径。这也意味着三星将成为业界首家在NAND闪存中采用3D晶体管技术的厂商，为未来闪存产品的性能与集成度带来质的飞跃。
FinFET晶体管作为一种三维立体结构，因形似鳍状而得名。与传统平面晶体管相比，FinFET在控制电流泄漏、提升开关速度和降低功耗方面具备显著优势。该技术此前由Intel在22nm逻辑工艺节点率先引入，台积电与三星随后在16nm/14nm节点全面跟进，如今已成为先进逻辑制程的标准配置。
然而，存储芯片由于自身结构特殊，长期以来仍沿用传统平面晶体管架构。三星此次技术突破，将3D晶体管从逻辑芯片扩展至闪存领域，预计可大幅提升芯片的信号传输速度、降低运行功耗，并进一步缩小芯片尺寸，从而在相同面积内实现更高存储密度。
尽管三星已明确将3DFinFET视为下一代闪存创新的关键方向，目前该技术仍处于研发与路线图规划阶段，具体搭载产品及商业化时间表尚未公布。业界预期，随着三维晶体管技术在存储芯片中的逐步落地，三星将在高性能存储、低功耗嵌入式产品以及人工智能数据中心等多个关键场景中，进一步强化其技术竞争力。
此举也反映出三星持续推动半导体技术跨界融合的战略意图——通过将逻辑芯片中成熟的先进架构引入存储领域，为全球存储市场开辟新的发展路径，并为未来异构集成与存算一体趋势提供底层支撑。
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